Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BUP213

Версия для печати Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 32A 200W

Технические характеристики BUP213

Параметр
Значение
Current - Collector (Ic) (Max) 32A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Lead Free Status / RoHS Status Request inventory verification / Request inventory verification
Power - Max 200W
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус P-TO220-5
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BUP213
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

IGBT (low Forward Voltage Drop High Switching Speed Low Tail Current Latch-up Free Avalanche Rated)

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

bup213.pdf
113.96Kb
8стр.