Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

H11G1M

Версия для печати Высоковольтный оптрон с составным фототранзистором

Технические характеристики H11G1M

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Isolation 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min) 500% @ 1mA
Напряжение выходное 100V
Количество каналов 1
Корпус (размер) 6-DIP
Тип монтажа Выводной
Тип выхода Darlington with Base
Vce Saturation (Max) 1V
Current - DC Forward (If) 60mA
Тип входа DC
Output Type Darlington with Base
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
H11G1M
Оптроны с составным транзистором

Высоковольтный оптрон с составным фототранзистором

Производитель:
Fairchild Semiconductor

H11G1M-H11G3M.pdf
134.4 Кб