BAS216 является высокоскоростным коммутационным диодом от компании NXP Semiconductors. Диод изготовлен по планарной технологии и размещается в малом прямоугольном керамический корпусе SMD. Предназначены для преобразования переменного входного электрического тока в постоянный выходной электрический ток. Диод обладает высокой скоростью переключения 4ns, низким уровнем потерь, максимальным постоянным обратным напряжением 75V, максимальным импульсным током 500mA. Область применения: в импульсных источника питания, в зарядных устройствах, конверторах и т.д.
Особенности:
Максимальное напряжение: 75В;
Прямое напряжение: 1В;
Максимальный прямой ток: 250мА;
Высокая скорость переключения: 4нс;
Обратный ток утечки: 1мкА при 75В.
Общая емкость Сд,пФ 1.5
Рабочая температура,оС - 65…150
Способ монтажа SMD
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Diode Type | Standard |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 75V |
| Current - Average Rectified (Io) | 250mA (DC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
| Capacitance @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOD-110 |
| Корпус | SOD2 |
|
BAS216 Переключающие диоды High-speed Switching Diode
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
