Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

STN3PF06

Версия для печати Транзистор

Технические характеристики STN3PF06

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия STripFET™
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 2.5A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 850pF @ 25V
Power - Max 2.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-261-4, TO-261AA
Корпус SOT-223
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF7319TRPBF 2927 66.25 руб. 
ВП1-2 1А 4000 31.62 руб. 
ВП1-2 4А 1208 31.27 руб. 
STN3PF06
MOSFET

P-channel 60 V - 0.20 ? - 2.5 A - SOT-223 STripFET™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STN3PF06.pdf
251.1 Кб