Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SIHG20N50C-E3

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
SIHG20N50C-E3 (VISHAY) 2000 165.31 руб. 

Описание SIHG20N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 20A TO247

Технические характеристики SIHG20N50C-E3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 20A
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 76nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2942pF @ 25V
Power - Max 292W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3
Корпус TO-247AC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
RS1007 840 35.08 руб. 


sihg20n5.pdf