SI4401BDY-T1-GE3


Наименование
Кол-во
Цена
SI4401BDY-T1-GE3 (VISHAY) 1332 618.41

Описание SI4401BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Технические характеристики SI4401BDY-T1-GE3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 10.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 8.7A
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 55nC @ 5V
Power - Max 1.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SOICN


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru