Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SI2312BDS-T1-E3

Версия для печати

Технические характеристики SI2312BDS-T1-E3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия TrenchFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31 mOhm @ 5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.9A
Vgs(th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Power - Max 750mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3 (TO-236)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
UC3846DW (UNITRODE (TI)) 743 288.00 руб.