Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MMBTA42LT1G

Версия для печати Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.

Наименование
Кол-во
Цена
 
MMBTA42LT1G 22480 4.82 руб. 

Технические характеристики MMBTA42LT1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 30mA, 10V
Power - Max 225mW
Frequency - Transition 50MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Possible Adhesion Issue 11/July/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
1N4148WS 95760 1.40 руб. (от 100 шт.  0.70 руб.)
BLM31PG601SN1L (MURATA) 21280 16.37 руб. 
BLM41PG102SN1L 8 Заказ радиодеталей
LQM21NN4R7K10L (MURATA) 192 49.59 руб. 
MMBTA92LT1G (ON SEMICONDUCTOR) 13 4.92 руб. 
MMBTA42LT1G

High Voltage Transistors NPN Silicon

Также в этом файле: MMBTA42LT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

mmbta42lt1g.pdf
57.87Kb
4стр.