MMBT3904LT1
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГцОписание MMBT3904LT1
Исходный полупроводниковый материал: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max 300mW
Ucb max 60V
Uce max 40V
Ueb max 6V
Ic max 100mA
Tj max,°C 135
Ft max 200MHz
Cc tip 4
Hfe 100/300
Технические характеристики MMBT3904LT1
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Power - Max | 330mW |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | PG-SOT23-3 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru