Исходный полупроводниковый материал: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max 300mW
Ucb max 60V
Uce max 40V
Ueb max 6V
Ic max 100mA
Tj max,°C 135
Ft max 200MHz
Cc tip 4
Hfe 100/300
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Power - Max | 330mW |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | PG-SOT23-3 |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BAT54 | 96480 | 1.88 руб. (от 100 шт. 0.94 руб.) | |
| IRLML6402 (HOTTECH) | 264000 | 5.90 руб. | |
| SDR1006-331KL (BOURNS) | 1440 | 142.15 руб. | |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
