Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

КП303Г

Версия для печати Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа, для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах

Описание КП303Г

Транзисторы кремниевые полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. КП303Г предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах. Корпус металлостеклянный с гибкими выводами.
Основные технические характеристики транзистора:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Uзи отс. - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Iс - ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач. - начальный ток стока: не более 12 мА;
• Iс ост. - остаточный ток стока: 5 мА;
• S - крутизна характеристики: 3... 7 мА/В;
• С - входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
КД522Б (БРЕСТ) 117013 1.44 руб. 
КП303А (ФОТОН) 13413 28.80 руб. 
КП303Е (ФОТОН) 9725 36.00 руб. 
КТ3102БМ (БРЯНСК) 10795 13.68 руб.