IRLU024N

N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, P=45W, -55 to +175C), логический уровень переключателя.

Технические характеристики IRLU024N

Параметр
Значение
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 17A
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 480pF @ 25V
Power - Max 45W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус I-Pak


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru