Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRLR3110Z

Версия для печати

Технические характеристики IRLR3110Z

Параметр
Значение
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3980pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 48nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 42A
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 38A, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Power - Max 140W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRLML6244TRPBF (TRR) 15200 3.90 руб. 
IRLML6402TR 1183 29.57 руб. 
IRLR3110ZPBF
Полевые МОП транзисторы

Automotive Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irlr3110zpbf.pdf
735.88Kb
11стр.