Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRLML6401TRPBF

Версия для печати Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRLML6401TRPBF (INFINEON) 18400 36.60 руб. 

Описание IRLML6401TRPBF

Силовой транзистор
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: P
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 1.3 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 12V B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 4.5 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 4.3 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.05 Ом

Технические характеристики IRLML6401TRPBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4.3A
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 830pF @ 10V
Power - Max 1.3W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус Micro3™/SOT-23
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
LQM21FN100N00L (MURATA) 40 18.41 руб. 
MCP73831T-2ATI/OT (MICRO CHIP) 3 188.93 руб. 
SN74LVC1G3157DBVR 7040 10.54 руб. 
TL431ACLP 76 25.34 руб. 


irlml6401gpbf.pdf