IRLML2502TRPBF
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| IRLML2502TRPBF (TRR) | 8000 | 4.72 |
Описание IRLML2502TRPBF
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 45
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.25
Крутизна характеристики S,мА/В 5800
Пороговое напряжение на затворе 1.2
Корпус SOT23
Технические характеристики IRLML2502TRPBF
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 740pF @ 15V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru