IRLML0030
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на управление 30В, 5.3А, 1.3ВтНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| IRLML0030 | 22000 | 2.08 |
| IRLML0030TR (TRR) | 6560 | 4.72 |
| IRLML0030TRPBF (INFINEON) | 12000 | 17.71 |
Описание IRLML0030
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на управление
Напряжение сток исток 30В
Ток стока 5.3А
Мощность рассеиваемая 1.3Вт
Время восстановления 11нс
Диапазон температур - 55 ... 150оС
Технические характеристики IRLML0030
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 5.2A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 382pF @ 15V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru