Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRL540NS

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET

Технические характеристики IRL540NS

Параметр
Значение
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 36A
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 74nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1800pF @ 25V
Power - Max 3.8W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус D2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRLR120N 40 Заказ радиодеталей
ТСО142-40-7 5 1 015.92 руб. 
ТСО142-40-7 5 918.00 руб. 
IRL540NS
MOSFET

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRL540NL.pdf
187.7 Кб