IRG4PH50UD

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный

Описание IRG4PH50UD

Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ
Ток коллектора максимальный при 25°C 45 А
Ток коллектора максимальный при 100°C 24 А
Напряжение насыщения К-Э 2.78 В
Время нарастания 24 нс
Время спада 180 нс
Время восстановления диода 135 нс
Прямое падение напряжение диода 2.5 В
Примечание IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
Корпус TO-247-3

Технические характеристики IRG4PH50UD

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.7V @ 15V, 24A
Current - Collector (Ic) (Max)	45A
Power - Max	200W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
IRF1010E (INTERNATIONAL RECTIFIER)	5	214.20 руб.
IRFP260N (INTERNATIONAL RECTIFIER)	80	354.96 руб.
RFP50N06 (FAIRCHILD)	26	201.96 руб.

IRG4PH50UD
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE (Vces=1200V, Vce (on) typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irg4ph50ud.pdf
229.49Kb
10стр.