Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRG4PH50U

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт

Описание IRG4PH50U

IGBT транзистор с высокой скоростью переключения.

Технические характеристики IRG4PH50U

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 24A
Current - Collector (Ic) (Max) 45A
Power - Max 200W
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус TO-247AC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
L7818CV (ST MICROELECTRONICS) 800 52.02 руб. 
IRG4PH50UD
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE (Vces=1200V, Vce (on) typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irg4ph50ud.pdf
229.49Kb
10стр.