Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFR5305

Версия для печати Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 Ohm(max), P=110W, -55 to +175C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFR5305 1840 27.20 руб. 
IRFR5305PBF 720 41.32 руб. 
IRFR5305TRPBF (INFINEON) 6716 139.42 руб. 

Описание IRFR5305

P-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  в корпусе для планарного монтажа (D-Pak).
Основные характеристики:
Максимальный ток стока 31А
Максимальное напряжение сток-исток  55V
Сопротивление сток-исток (откр.) < 0,065 om
Максимальная мощность рассеивания  110W
Допустимое напряжение на затворе  +-20V
Пороговое напряжение на затворе  -2..-4V
Ток утечки затвора < 0,1 uA
Ток утечки стока (закр.) < 25uA
Время включения/выключения 14/39nS
Время восстановления диода 250nS (тип.)
Входная/выходная ёмкость 1200/520pF (тип.)
КорпусD-pak
Диапазон рабочих температур  -55..+150oC

Технические характеристики IRFR5305

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 31A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1200pF @ 25V
Power - Max 110W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
78L05 (HOTTECH) 20936 4.15 руб. 
IRFR5305

55V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irfr5305[1].pdf
158.15Kb
10стр.