Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFBF30

Версия для печати N-канальный Полевой транзистор (Vds=900V, Id=3.6A@T=25C, Id=2.3A@T=100C, Rds=3.7 R, P=125W, -55 to +150C).

Технические характеристики IRFBF30

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 Ohm @ 2.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.6A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 78nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1200pF @ 25V
Power - Max 125W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
К1156ЕУ3Р 24 163.80 руб. 
К561ЛН2 (ИНТЕГРАЛ) 1680 141.70 руб. 
IRFBF30
N-канальные транзисторные модули

Power Mosfet (vdss=900v, Rds (on) =3.7ohm, Id=3.6a)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irfbf30.pdf
169.62Kb
6стр.