IRFBE30PBF

Версия для печати МОП-Транзистор, N-канальный, Vси = 800В, Rоткр = 3 Ом, Ic = 4.1A, 125Вт

Наименование	Кол-во	Цена
IRFBE30PBF (VISHAY)	2	141.70 руб.

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 2.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	78nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFBE30PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFBE30PBF.pdf
2.1 Мб