Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFBC40

Версия для печати Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W

Описание IRFBC40

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Крутизна характеристики S,мА/В 70000
Корпус TO220AB
Пороговое напряжение на затворе 4

Технические характеристики IRFBC40

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 6.2A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V
Power - Max 125W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
DS18B20 96 61.15 руб. 
FR107 (DC COMPONENTS) 21365 2.40 руб. 
FR302 180 5.93 руб. 
KBU610 4280 32.54 руб. 
IRFBC40S
Дискретные сигналы

600V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package

Также в этом файле: IRFBC40S

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irfbc40s.pdf
352.3Kb
10стр.