IRF840
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125ВтНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| IRF840 | 2193 | 31.91 |
| IRF840PBF (VISHAY) | 7079 | 147.89 |
Описание IRF840
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 125 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 500 B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 8 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Ёмкость стока (Cd): 1500 Пф
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.85 Ом
Технические характеристики IRF840
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 4.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
| Серия | PowerMESH™ |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru