Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF7492PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRF7492PBF

Параметр
Значение
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 79 mOhm @ 2.2A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs 59nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1820pF @ 25V
Power - Max 2.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
SDR1006-100ML (BOURNS) 6 58.92 руб.