Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF7413

Версия для печати Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF7413 31 59.14 руб. 

Технические характеристики IRF7413

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 6.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 12A
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 79nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1800pF @ 25V
Power - Max 2.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRF7413ZPBF

Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf7413zpbf.pdf
266.86Kb
10стр.