Параметр |
Значение |
|---|---|
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 59nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| L-937EGW | 493 | 63.36 руб. | |
| TPS76333DBVR | 7200 | 29.90 руб. | |
|
IRF7406 P-канальные транзисторные модули Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
