IRF7319PBF

Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W

Наименование
Кол-во
Цена
IRF7319PBF 40 Заказ радиодеталей

Описание IRF7319PBF

Структура N&P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.5/-4.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 29/59
Корпус SO8

Технические характеристики IRF7319PBF

Параметр
Значение
Power - Max 2W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 650pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 6.5A, 4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 5.8A, 10V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru