IRF7309

Версия для печати Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, 3.2A(--2.4A)@t=70C, Rds=0.05 R(0.1R), P=1.4W), smd.

Наименование	Кол-во	Цена
IRF7309 (INTERNATIONAL RECTIFIER)	800	97.92 руб.

Описание IRF7309

Пара N+P-канальных МОП транзисторов в общем планарном корпусе типа SO-8.

Параметр N-канал P-канал
Uси.max 30V -30V
Uзи.max +/- 20V
Iс.max 4A(+25^oC), 3,2A(+70^oC) /-3A(+25^oC) -2,4A(+70^oC)
Pрасс.max 1,4W (при +25oC)
Rси.откр. (тип.) 0,05 Om 0,1 Om
Свх/Cвых (тип.) 520pF/180pF 440pF/200pF
tвкл/выкл (тип.) 6.8nS/22nS 11nS/25nS
Tраб. -55oC..+150oC

Технические характеристики IRF7309

Параметр	Значение
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 2.4A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	N and P-Channel
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	520pF @ 15V
Power - Max	1.4W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
КП303Е (ФОТОН)	9653	36.00 руб.
КР142ЕН12А (БРЯНСК)	1757	52.80 руб.
КР142ЕН22 (СЗТП)	40	612.00 руб.

IRF7309
N/P-канальные транзисторные модули

HEXFETand#174; Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf7309.pdf
164.58Kb
8стр.