IRF730

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)

Наименование	Кол-во	Цена
IRF730	152	116.16 руб.

Описание IRF730

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Основные характеристики IRF730:
Максимальный ток стока 5,5А
Максимальное напряжение сток-исток 400V
Сопротивление сток-исток (откр.) <1,0 om
Максимальная мощность рассеивания 75W
Допустимое напряжение на затворе +-20V
Пороговое напряжение на затворе +2..+4V (+2..+4,5V)
Ток утечки затвора < 0,1 uAТок утечки стока (закр.) < 25 uA
Время включения/выключения 10/20nS (тип.)
Время восстановления диода 370nS (тип.)
Корпус TO-220
Диапазон рабочих температур -55..+150oC

Технические характеристики IRF730

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 3.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	700pF @ 25V
Power - Max	74W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для IRF730

Наименование	Кол-во	Цена
IRF720 (ВЗПП)	8	55.08 руб.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
MJE13005	6	67.58 руб.
MPSA42	4800	2.24 руб.
КТ827А	83	987.00 руб.

IRF730

N - Channel Powermesh Mosfet

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

irf730.pdf
96.24Kb
8стр.