IRF530

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 R@Vgs=10V, P=90W, -55 to 175C)

Наименование	Кол-во	Цена
IRF530 (INTERNATIONAL RECTIFIER)	266	100.98 руб.

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 8.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	14A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	670pF @ 25V
Power - Max	88W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB
Серия	STripFET™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF530FP
Мощные полевые МОП транзисторы

N - Channel Enhancement Mode Power Mos Transistor

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

irf530fp.pdf
80.15Kb
5стр.