Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики S,мА/В 44000
Корпус TO220AB
Пороговое напряжение на затворе 4
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 110A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 62A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 146nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3247pF @ 25V |
| Power - Max | 200W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRF3205PBF Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
