Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF1607

Версия для печати Hexfet power mosfets discrete n-channel

Технические характеристики IRF1607

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 85A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 142A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 320nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 7750pF @ 25V
Power - Max 380W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRF1607
MOSFET

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF1607.pdf
238 Кб