Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF1010N

Версия для печати Транзистор полевой N-MOS 55V, 72A, 130W

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF1010N (INTERNATIONAL RECTIFIER) 533 214.20 руб. 

Технические характеристики IRF1010N

Параметр
Значение
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 85A
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 43A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs 120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3210pF @ 25V
Power - Max 180W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус TO-262
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF7309 (INTERNATIONAL RECTIFIER) 800 97.92 руб. 
TL598CN (TEXAS INSTRUMENTS) 38 228.00 руб. 
КП303Е (ФОТОН) 9725 36.00 руб. 
КР142ЕН22 (СЗТП) 40 612.00 руб. 
КР142ЕН22А (СЗТП) 5 612.00 руб. 
IRF1010NS
N-канальные транзисторные модули

HEXFETand#174; Power MOSFET

Также в этом файле: IRF1010NS

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf1010ns.pdf
147.63Kb
10стр.