Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

FQPF6N60

Версия для печати 600v n-channel mosfet

Технические характеристики FQPF6N60

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия QFET™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.6A
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1000pF @ 25V
Power - Max 44W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3 Full Pack
Корпус TO-220F
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
74HCT14N 7 46.46 руб. 
IRFZ34N (INTERNATIONAL RECTIFIER) 53 110.16 руб. 
FQP6N60C

600V N-Channel MOSFET

Также в этом файле: FQPF6N60C

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

fqp6n60c.pdf
912.23Kb
10стр.