Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

FQP4N90C

Версия для печати N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт

Описание FQP4N90C

N-канальный тарнзистор MOSFET
Напряжение сток/ исток  900В
Ток стока  4А
Мощность рассеиваемая  140Вт
Максимальная температура перехода   150оС 

Технические характеристики FQP4N90C

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия QFET™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4A
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 960pF @ 25V
Power - Max 140W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220
Product Change Notification Design/Process Change Notification 26/June/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
FGH40N60SFDTU 272 465.17 руб. 
FGH40N60SMD (FAIR/ONS) 104 602.21 руб. 
STTH3003CW (ST MICROELECTRONICS) 8 384.00 руб. 
UC3842BN (ST MICROELECTRONICS) 88 92.92 руб. 
UC3843BN (ST MICROELECTRONICS) 36 48.41 руб. 
FQP4N90C
MOSFET

N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт

Производитель:
Fairchild Semiconductor

fqp4n90c.pdf
1,29MB
12стр.