Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 20 B
Предельный ток затвора транзистора (Id): 3.0 А
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.07 Ом
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3A, 2.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 324pF @ 10V |
| Power - Max | 700mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-SSOT, SuperSOT™-6 |
| Корпус | 6-SSOT |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
