Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BSS84 | 22000 | 1.56 руб. | |
Транзисторы BSS84 (bss84) изготавливаются по DMOS технологии. Это обеспечивает минимальное сопротивление транзистора в открытом состоянии, что обеспечивает высокую надежность, производительность и быстрое переключение. Постоянный ток стока транзистора находится в пределах до 0.13A, в импульсном режиме до 0.52A.Транзистор BSS84 (bss84) подходит для применения в низковольтных схемах, где требуется при малом токе обеспечить высокую скорость переключения.
Особенности
Управляемый напряжением р-канальный переключатель сигнала
Технология ячеек высокой плотности, обеспечивающая низкий RDS (ON)
Высокий ток насыщения
Тип MOSFET P-Channel, металл-оксид
Функции Логический переключатель
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 10000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.36
Крутизна характеристики S,мА/В 270
Пороговое напряжение на затворе -2
Максимальное сопротивление включения 10 Ом при 100 мА, 5В
Постоянный ток стока (Id) при 25 ° C 130 мА
Максимальное напряжение Vgs @ Id 2V @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) @ Vgs 1.3nC 5В
Входная емкость @ Vds 73pF @ 25V
Максимальная допустимая мощность 360mW
Тип монтажа Для поверхностного монтажа
корпус К-236-3, СК-59, SOT-23-3
Другое название BSS84DKR
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 100mA, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 130mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.3nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 73pF @ 25V |
| Power - Max | 360mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
