BSR16
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - 300, VCEO(sus), В - 1.6, ft, МГц - 200, - транзисторОписание BSR16
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: PNP
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.250 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.6 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 75
Корпус: SOT23
Технические характеристики BSR16
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru