BSR16

Версия для печати Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - 300, VCEO(sus), В - 1.6, ft, МГц - 200, - транзистор

Описание BSR16

Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: PNP
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.250 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.6 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 75
Корпус: SOT23

Технические характеристики BSR16

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
Power - Max	350mW
Frequency - Transition	200MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
BZV55-C16 (NXP)	9050	2.17 руб.
BZV55-C18 (KINGTRONICS)	8416	1.41 руб.

Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - 300, VCEO(sus), В - 1.6, ft, МГц - 200, - транзистор

bsr16.pdf
132,59kB
8стр.