Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BFS17A

Версия для печати Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, P=300mW, -65 to +150C)

Технические характеристики BFS17A

Параметр
Значение
Корпус TO-236AB
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа Поверхностный
Current - Collector (Ic) (Max) 25mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 2mA, 1V
Power - Max 300mW
Noise Figure (dB Typ @ f) 2.5dB @ 800MHz
Frequency - Transition 2.8GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BAV99 (TRR) 192000 1.18 руб. 
BC857 176 3.15 руб. 
FM25L16B-GTR 1062 244.88 руб. 
BFS17AW

Silicon NPN Planar RF Transistor

Производитель:
Vishay
//www.vishay.com

bfs17aw.pdf
166.42Kb
10стр.