Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BD139

Версия для печати Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)

Технические характеристики BD139

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
Power - Max 1.25W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-126-3
Корпус SOT-32-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для BD139

Наименование
Кол-во
Цена
 
2N5192 (ON SEMICONDUCTOR) 37 28.80 руб. 
КТ815Г (БРЯНСК) 8611 40.80 руб. 
КТ961А 1640 31.68 руб. 

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
1N4148 (DIOTEC) 184337 2.79 руб. 
2N5401 14800 1.36 руб. 
2N5551 (DIOTEC) 16738 5.65 руб. 
BD140 9360 9.91 руб. 
BD139

Npn Silicon Transistors

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

bd139.pdf
36.48Kb
4стр.