Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC857CDW1T1G

Версия для печати Биполярный транзистор универсальный p-n-p -45В, 100мА, 0.38Вт, 100МГц

Описание BC857CDW1T1G

Биполярный транзистор универсальный p-n-p
Напряжение сток / исток  - 45В
Ток   -100 мА
Граничная частота  100МГц
Мощность рассеиваемая   0.38Вт
Коэффициент усиления тока   270
Диапазон температур   - 55 ....  150оС

Технические характеристики BC857CDW1T1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Power - Max 380mW
Frequency - Transition 100MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус SOT-363
Product Change Notification Wire Change 08/Jun/2009
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


BC856BDW1T1-D.PDF