BC847BDW1T1G

Технические характеристики BC847BDW1T1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Power - Max 380mW
Frequency - Transition 100MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус SOT-363
Product Change Notification Wire Change 08/Jun/2009


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru