Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC847BDW1T1G

Версия для печати

Технические характеристики BC847BDW1T1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Power - Max 380mW
Frequency - Transition 100MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус SOT-363
Product Change Notification Wire Change 08/Jun/2009
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF7309 (INTERNATIONAL RECTIFIER) 800 97.92 руб. 
IRLML2803TR 72 19.01 руб. 
W27C512-45Z (WINBOND) 360 566.78 руб. 
BC847BDW1T1

Dual General Purpose Transistors

Также в этом файле: BC847BDW1T1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

bc847bdw1t1.pdf
109.94Kb
6стр.