Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.5 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 40
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BAV199 (DIOTEC) | 10429 | 5.76 руб. | |
| CXA1691BM (SONY) | 5 | 214.20 руб. | |
| PIC12F629-I/P | 359 | 232.32 руб. | |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
