Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 4.5
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110
Корпус транзистора: TO92
Параметр |
Значение |
---|---|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 2mA, 5V |
Power - Max | 500mW |
Frequency - Transition | 300MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Корпус | TO-92-3 |