Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2SJ598

Версия для печати P-MOS 60V, 12A, 23W

Технические характеристики 2SJ598

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 12A
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 720pF @ 10V
Power - Max 1W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус TO-252
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.